在台積電2021線上技術研討會期間，高級運營副總裁YP Chin披露了與該公司芯片製造能力相關的重要進展。據悉，目前台積電擁有全球將近一半的極紫外光刻（EUV）機器，並且承擔了全球先進矽晶圓製程的半數以上產能。此外，YP Chin還介紹了台積電的3nm和2nm製造設施，以及規劃中的美國亞利桑那州園區的最新進展。

資料圖（來自：TSMC）

會上，YP Chin 首先強調了台積電的先進製程產能有望保持30% 的複合年增長率（CAGR），並且從16nm 和7nm 一路介紹到了當前最新的5nm 工藝。

按照計劃，台積電有望在2021 年底將N7 產能提升至2018 年的四倍，且N5 產能也將較去年翻一番。展望到2023 年，該公司還致力於將N5 產能翻至去年的四倍。

除了N7 和N5，台積電還展望了N6 和N4 等工藝。雖然N4 工藝仍處於早期階段，但7nm（N7 和N6）工藝的缺陷密度已經有所下降。

台積電N5 / N4 缺陷密度

TSMC 高級研發副總裁米玉杰表示，N4 風險試產將於2021 年晚些時候開啟。此外YP Chin 在主題演講期間分享了有關台積電產能的關鍵統計數據。

據悉，為減少整體缺陷，現代芯片製造所需的電路尺寸縮小，嚴重依賴於使用更短波長光線的機器。比如台積電的N5 工藝，就使用了更多的極紫外光刻（EUV）層。

目前台積電已經部署了全球近半的EUV 光刻機，同時承擔了全球65% 的先進半導體晶圓出貨量（2020 上半年的EUV 晶圓產能占到了60%）。

台積電計劃進一步增加EUV 掩膜的用量

作為芯片製造中不可或缺的一環，當在矽鏡片上刻印電路的時候，掩膜能夠保護成品免受雜誌或任何污染而導致的缺陷。

對於台積電來說，該公司也計劃在2021 年底前將EUV 掩膜的產能翻番、延長壽命、同時降低成本，而上一代深紫外光刻（DUV）產線也將受益於此。

接著，YP Chin 概述了下一代3nm 工藝和N2 節點的計劃，其中台南Fab 18 工廠可在5 / 6 / 7 / 8 階段負責N3 生產，且該工廠可在4 階段擴大現有的N5 產能，以確保實現長期目標。

最後，他證實台積電將在新竹市新建一座Fab 20 工廠，以承擔2nm 系列工藝的半導體生產。儘管當前仍在忙著徵地，但該公司已經為Fab 20 工廠的初期生產規劃了四個階段。