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南大光電高端ArF光刻膠獲得突破未來可用於7nm工藝

南大光電高端ArF光刻膠獲得突破未來可用於7nm工藝

2021-06-01 Comments 0 Comment

在半導體製造上,國內廠商需要突破的不只是光刻機等核心設備,光刻膠也是重要的一環。南大光電日前宣布,該公司研發的高端ArF光刻機已經獲得了國內某企業的認證,用於55nm工藝製造。

南大光電於5月31日晚間發佈公告,控股子公司寧波南大光電自主研發的ArF光刻膠繼2020年12月在一家存儲芯片製造企業的50nm閃存平台上通過認證後,近日又在邏輯芯片製造企業55nm技術節點的產品上取得了認證突破,表明公司光刻膠產品已具備55nm平台後段金屬佈線層的工藝要求。

不過南大光電沒有透露具體的客戶名字。

在光刻機市場上,國內自給率極低,歐美日等地區的廠商佔據主要份額,JSR、信越化學等TOP5廠商佔據全球87%的份額。

光刻膠有不同的技術類別,低端的中g線/i線光刻膠自給率約為20%,KrF光刻膠自給率不足5%,而高端的ArF光刻膠完全依賴進口,是國內半導體的卡脖子技術之一。

雖然南大光電的ArF光刻膠現在通過的是55nm工藝認證,但ArF光刻膠涵蓋的工藝技術很廣,可用於90nm-14nm甚至7nm 技術節點製造工藝,廣泛應用於高端芯片製造(如邏輯芯片、 存儲芯片、AI 芯片、5G 芯片和雲計算芯片等)。

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