SK Hynix剛剛宣布了176層NAND閃存芯片，特點是從傳統設計升級到了PUC方案。在最大限度提高生產效率的同時，還可以減小存儲芯片的尺寸。WCCFTech指出，作為4D NAND閃存芯片系列的最新一代，海力士已於上月向主控企業提供了樣品，以推動相關產品的上市。

（來自：SK hynix）

從96 層NAND 閃存芯片開始，海力士一直在推動4D 技術的發展。本文介紹的176 層NAND 芯片，已經發展到第三代。從製造上來說，其能夠確保業內最佳的每片晶圓產出。

海力士NAND 開發負責人Jung Dal Choi 表示：“閃存行業正在努力改善技術，以實現高集成度和高​​產量。同時作為4D NAND 的先驅，海力士將引領業內最高的技術和產能”。

性能方面，第三代4D NAND 技術可提升單元讀取速度和數據傳輸速率，此外176 層NAND 閃存芯片採用了2 分區單元陣列選擇技術。

其原理是將存儲單元分成了兩個部分，調用電阻更低、讀取速度更快。通過不增加處理數量的加速技術（確保數據調用請求能夠快速響應），第三代4D NAND 還可將傳輸速率提升33% 。

然後是能夠實時自動校正的超精密對準技術，其特點是能夠保障堆棧之間的電流穩定性，進而確保可靠的性能。

展望未來，海力士希望開發出基於176層4D NAND技術的Tb級產品。在此之前，美光已經發布了176層NAND，並且推出了基於英睿達品牌的產品。