SK海力士推出176層4D NAND閃存芯片
SK Hynix剛剛宣布了176層NAND閃存芯片,特點是從傳統設計升級到了PUC方案。在最大限度提高生產效率的同時,還可以減小存儲芯片的尺寸。WCCFTech指出,作為4D NAND閃存芯片系列的最新一代,海力士已於上月向主控企業提供了樣品,以推動相關產品的上市。
(來自:SK hynix)
從96 層NAND 閃存芯片開始,海力士一直在推動4D 技術的發展。本文介紹的176 層NAND 芯片,已經發展到第三代。從製造上來說,其能夠確保業內最佳的每片晶圓產出。
海力士NAND 開發負責人Jung Dal Choi 表示:“閃存行業正在努力改善技術,以實現高集成度和高產量。同時作為4D NAND 的先驅,海力士將引領業內最高的技術和產能”。
性能方面,第三代4D NAND 技術可提升單元讀取速度和數據傳輸速率,此外176 層NAND 閃存芯片採用了2 分區單元陣列選擇技術。
其原理是將存儲單元分成了兩個部分,調用電阻更低、讀取速度更快。通過不增加處理數量的加速技術(確保數據調用請求能夠快速響應),第三代4D NAND 還可將傳輸速率提升33% 。
然後是能夠實時自動校正的超精密對準技術,其特點是能夠保障堆棧之間的電流穩定性,進而確保可靠的性能。
展望未來,海力士希望開發出基於176層4D NAND技術的Tb級產品。在此之前,美光已經發布了176層NAND,並且推出了基於英睿達品牌的產品。