在半導體晶圓代工上，台積電一家獨大，從10nm之後開始遙遙領先。然而三星的追趕一刻也沒放鬆，今年三星也量產了5nm EUV工藝。三星計劃在2年內追上台積電，2022年將量產3nm工藝。從2019年開始，三星啟動了一個“半導體2030計劃”，希望在2030年之前投資133萬億韓元（約合1160億美元）成為全球最大的半導體公司，其中先進邏輯工藝是重點之一，目標就是要追趕上台積電。

在最近的幾代工藝上，三星的量產進度都落後於台積電，包括10nm、7nm及5nm，不過5nm算是縮短了差距，今年也量產了，此前也獲得了高通、NVIDIA、IBM等客戶的8nm、7nm訂單。

但三星追趕台積電的關鍵是在下一代的3nm上，因為這一代工藝上三星押注了GAA環繞柵極晶體管，是全球第一家導入GAA工藝以取代FinFET工藝的，而台積電比較保守，3nm還是用FinFET，2nm上才會使用GAA工藝。

最新消息稱，三星半導體業務部門的高管日前透露說，三星計劃在2022年量產3nm工藝，而台積電的計劃是2022年下半年量產3nm工藝，如此一來三星兩年後就要赶超台積電了。

值得一提的是，台積電也似乎感受到了三星的壓力，原本計劃2024年才推出2nm工藝，現在研發順利，2023年下半年就準確試​​產了。