美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基於全新RG架構的第四代3D NAND存儲器的量產工作。按照計劃，美光將於2020 Q3採集開始生產，並於Q4像商業客戶發貨。作為這家硬件製造商的一次重大技術轉型，第四代3D NAND存儲器的層數達到了128層。

資料圖（來自：Micron）

此外，作為美光長期技術演進計劃的核心，該公司將用替換門（RG）技術來取代與英特爾合作時期使用了多年的傳統浮柵技術。

美光擁有RG 技術的完整設計，且希望本次技術轉型能夠減小管芯尺寸、降低成本、提高性能，以及更輕鬆地過渡到更多層的下一代節點。

儘管量產工作宜早不宜遲，但美光向也投資者指出，該公司不會在今年內全面轉向基於RG 架構的3D NAND 技術，畢竟早期良率還有繼續提升的空間。

美光稱，其計劃在2020 Q4 財季（今夏）開始出貨128 層RG 架構的3D NAND 閃存產品。

首席執行官Sanjay Mehrotra 補充道：“我們在向RG 技術過渡方面取得了重大進展，預計到2020 年末，它將成為公司NAND 總供應量的重要組成部分”。