美光本周宣布，其已開始提供業界首個集成了LPDDR5-6400動態隨機存儲器（DRAM）和96層3D NAND閃存的多芯片封裝（MCP）樣品。對於需要快速DRAM和高性能存儲的5G中端智能機等產品來說，該公司的uMCP5產品可提供上佳的解決方案。

資料圖（來自：Micron）

據悉，美光 uMCP5器件打包了雙通道的12GB LPDDR5-6400運存、以及256GB的UFS存儲（96層3D TLC NAND +板載控制器）。

完整的uMCP5 芯片採用了標準的297 引腳和BGA 封裝，其中LPDDR5 芯片採用該公司的第二代10nm 工藝打造，但美光尚未就NAND 部分作出評論。

隨著業界對LPDDR5和更高性能的存儲器件的需求變得日漸旺盛，智能手機製造商可藉助美光uMCP5器件，極大地減少對機身空間的佔用。

此外隨著5G 的普及，移動設備對數據吞吐有著更高的需求，攝像頭和屏幕參數亦有望迎來飛速的增長，但這對數據存儲和加載也提出了更高的要求。

該公司稱，其uMCP5 方案較兩塊獨立的RAM / ROM 存儲芯片減小了40% 。同時與上一代方案相比，新器件的容量和帶寬也增加了50% 。

最後，除了5G 移動設備，美光uMCP 方案對於高端4G / LTE 智能機的意義也同樣重大。目前該公司正在向某些合作夥伴提供樣品，預計最終產品將很快與大家見面。