SK Hynix剛剛與Xperi Corp簽署了一項廣泛的專利與技術授權協議，其中包括了Invensas開發的DBI Ultra 2.5D / 3D互聯技術。作為一項專有的管芯-晶片混合互聯技術，DBI Ultra的間距低至1μm，可實現每平方毫米100 ~1000k的互聯。製造商可將之用於16-Hi芯片製造，下一代內存和高度集成的多層SoC有望用上。

（題圖via AnandTech）

該公司稱，與傳統的銅柱互連技術（每平方毫米625 個互聯）相比，DBI Ultra 支持更多的互聯數、可提供更大的帶寬。

此外，DBI Ultra 能夠縮短三維高度，在常規8-Hi 相同的空間裡實現16-Hi 的芯片堆疊，從而帶來更大的存儲密度。

與其它下一代互連技術一樣，DBI Ultra 支持2.5D 和3D 集成。此外，它允許集成不同尺寸、以及使用不同工藝技術生產的半導體器件。

這種靈活性不僅可以造福於下一代大容量高帶寬內存解決方案（比如3DS 和HBM），還適用於各種高度集成的CPU、GPU、ASIC、FPGA 和SoC 等應用。

DBI Ultra 使用的化學黏合劑，可以不增加互連層的支撐高度，且無需銅柱或底部填充。

儘管與傳統堆疊工藝使用的工藝流程有所不同，但DBI Ultra 可繼續套用現有的模具、且無需高溫，因此成品率相對較高。

當然，這麼做肯定需要付出一定的代價，或許這也是Invensas 和SK Hynix 沒有明確透露DBI Ultra 在下一代存儲芯片上的使用成本的一個原因。