在IEEE國際電子設備會議（IEDM）上，英特爾披露了自家2019 ~ 2029年的芯片製造路線圖，從7nm、5nm、3nm、2nm，一直展望到了1.4nm 。除了單純的數字目標，該公司還介紹了圍繞即將到來的製程節點的一些新技術。外媒指出，其實在9月的光刻會議上，該公司已經展示過此幻燈片。

資料圖（來自：Intel）

英特爾預計自家工藝節點技術可每兩年迎來一次飛越，首先是從2019 年的10nm 工藝、升級到2021 年的7nm 極紫外光刻（EUV）。

然後是2023 年5nm，2025 年的3nm，2027 年的2nm，直至2029 年的1.4nm —— 這已相當於12 個矽原子所佔的位置。

有趣的是，今年的IEDM 會以上，還介紹了所謂的“2D 自組裝”材料，尺寸大約為0.3nm 。

儘管不是第一次聽說，但在矽芯片製造領域，英特爾及其合作夥伴仍有許多小問題需要克服。

在兩代工藝節點之間，英特爾還會引入+ 和++ 的迭代版本，以充分榨取每代製程的性能。

比較例外的是10nm，它已經處在10nm+ 的階段。因此在2020 和2021 年，我們將見到10nm ++ 和10nm +++ 。

英特爾認為，其能夠按照年度節奏來實現這類操作，但也有專門的團隊來確保一個完整的製程節點可與另一個製程節點重疊。

有趣的是，幻燈片中竟然還提到了反向移植（Back Porting），這是芯片設計時就考慮的一種能力（在較舊的++ 節點上重新製作）。

（圖via TechSpot）

儘管英特爾表示其正在將芯片設計從工藝節點中剝離出來，但由於製程已被鎖定，其在具體實施上並不是一件簡單的事情。

從幻燈片來看，反向移植仍存在著一定的限制，比如第一代7nm 設計可反向移植到10nm +++，5nm 均支持回退至7nm ++，3nm 可移植到5nm ++，以及2nm 到3nm ++ 。

需要指出的是，這並不是英特爾首次提及反向移植硬件設計。由於當前一代10nm 製程拖了後腿，英特爾已經考慮到了10nm + 和10nm ++ 的退路。

通常隨著製程節點的發展，每一次大版本迭代都有不同的團隊來負責。但幻燈片指出，英特爾正在開發10nm +++ 優化和7nm 系列製程工藝。

展望未來，我們還將見到基於10nm ++ 芯片設計的7nm 產品、基於7nm 設計的5nm 產品、以及基於5nm 設計的3nm 產品。

值得一提的是，2023 年的5nm 製程節點，剛好也是ASML 開售其High NA EUV 光刻機的時間，此外英特爾還一直在考慮新材料和新的晶體管設計。