外媒報導稱，台積電已經悄然推出了7nm深紫外（N7 / DUV）和5nm極紫外（N5 / EUV）製造工藝的性能增強版本。該公司的N7P和N5P技術，專為那些需要運行更快、消耗更少電量的客戶而設計。儘管N7P與N7的設計規則相同，但新工藝優化了前端（FEOL）和中端（MOL）製程，可在同等功率下將性能提升7%、或在同頻下降低10%的功耗。

（圖自：TSMC，via AnandTech）

在日本舉辦的2019 VLSI 研討會上，台積電透露了哪些客戶已經可以用上新工藝，但該公司似乎並沒有廣而告之的想法。

據悉，N7P 採用經過驗證的深紫外（DUV）光刻技術。與N7 相比，它沒有增加晶體管的密度。

那些需要高出約18~20％ 晶體管密度的TSMC 客戶，預計需要使用台積電的N7+ 和N6 工藝—— 後者使用極紫外（EUV）光刻技術進行多層處理。

最後，儘管N7 和N6 都是未來幾年的“長”節點，但台積電會在下一個N5 節點帶來顯著的密度、功耗和性能改進。

同樣，N5 之後也會迎來一個叫做N5P 的增強版本，輔以FEOL 和MOL 優化，以便讓芯片在相同功率下提升7% 的性能、或在同頻下降低15% 的功耗。