說到存儲芯片，目前主要是指DRAM內存、NAND閃存及少部分NOR閃存，內存速度極快但成本貴，而且斷電不能保存數據，NAND、NOR閃存可以保存數據，成本也廉價，不過性能、延遲是沒法跟內存相比的。

在這些存儲芯片之外，業界還在開發各種新一代芯片，比如MRAM磁阻內存、ReRAM電阻式內存、PCRAM相變內存（Intel的傲騰內存就是相變存儲原理），這些芯片的特點就是同時融合了閃存及內存的優點，速度快、延遲低、可靠性高，同時斷電也能保存數據，但是這三類芯片也有同樣的不足，那就是容量比較小，製造困難。

想解決新一代存儲芯片的生產難題，那就需要新的半導體設備，在這方面美國應用材料公司又一次走在世界前列了，日前該公司宣布推出Endura生產平台，其中包括製造PCRAM及ReRAM的Endura Impulse PVD以及用於製造MRAM的Endura Clover PVD兩種物理氣相沉積設備，這是該公司有史以來研發的最精密的芯片製造系統。

以Endura Clover PVD為例，應用材料公司表示它由9個晶圓處理反應室組成，全都是在真空、純淨狀態下整合的，這也是業界第一個大規模量產用的300mm MRAM系統，其中每個反應室可以沉積5種不同的材料，而製造MRAM芯片至少需要30種不同的材料沉積操作，部分材料沉積層比人類的頭髮還要細小50萬倍，達到了亞原子級別的精度，製造過程極其複雜也極其精密。

製造ReRAM及PCRAM的Endura Impulse PVD設備也是如此，同樣是超級複雜、精密的半導體設備。