節能比以往任何時候都更為重要，如果我們能功地創造出更小、更好、更高效的技術，那麼電子產品所浪費的熱能就可以好的利用。現在，美國猶他大學機械工程副教授Mathieu Francoeur發現了一種利用近場輻射傳熱裝置從熱量中產生比想像中更多電能的方法，他發現了“黑體極限”理論分崩離析的納米尺度。

黑體極限（1900年由德國物理學家馬克斯·普朗克提出）是描述熱輻射（熱）所能產生的最大能量的理論，但是當物體非常非常接近時，這個定律就失效了，從一個物體到另一個物體的熱傳遞呈指數級增加。簡而言之，物體越近，能量傳遞越好，但是在不讓它們實際接觸的情況下保持兩個物體盡可能接近的機械難度是一個重大挑戰。

猶他大學的一個研究小組利用其近場輻射熱傳遞裝置進行這方面的挑戰。副教授MathieuFrancoeur和他的團隊創造了一個小芯片（5×5毫米），由兩片矽晶片組成，兩片矽晶片之間有一個100納米的穩定間隙，並保持在真空中。研究小組隨後加熱一塊晶圓，同時冷卻另一塊晶圓，從而產生了一種熱通量，可以用來產生電流。產生電能的熱流密度法本身並不是什麼新鮮事，但研究小組為保持矽片之間在微觀上緊密一致的遲滯而開發的方法卻是前所未有。

這個團隊看到了這種熱傳遞裝置的大量應用。從冷卻電腦和手機處理器（改進其操作和功能壽命）到將廢熱轉化為電能以提高電池壽命。該芯片還可用於為物理環境有自己熱源的技術（如植入式醫療設備）提供動力。當然，對於像這樣的經濟技術來說，環境效益是巨大的。