英特爾昨天在舊金山召開的SemiCon West上公佈了他們在半導體領域最新的研究成果，一共公佈了三種新的3D封裝工藝，為未來開啟了一個全新的維度。芯片封裝一直是芯片製造中的一個重頭戲，在傳統的2D封裝技術已經發展到瓶頸之後，半導體製造商們把目光轉向了3D堆疊工藝。Foveros是英特爾於2018年提出的3D封裝工藝技術，將在今年晚些時候正式發售的LakeField處理器上率先使用。

3D堆疊工藝

Co-EMIB

EMIB和Foveros是英特爾用於3D堆棧式封裝的兩項技術，前者允許芯片模塊間的高速內聯，後者允許堆疊模塊間的垂直通信，這兩項技術可以在低功耗的情況下提供非常高的帶寬和IO密度。新的Co-EMIB技術是將EMIB和Foveros相結合，同樣的，採用Co-EMIB技術的芯片保留了兩項技術原有的優點，可以在低功耗高帶寬的情況下連接模擬電路、內存以及其他的周邊元件。

Co-EMIB示意圖，圖源WikiChip

ODI

ODI全稱Omni-Directional Interconnect，在3D封裝中，芯片通信有兩個維度，一是水平方向上的芯片間互相通信，另一個是垂直方向上的，比如一個計算模塊與另一個獨立計算模塊通信就是水平方向上的，而計算模塊與堆疊在其上的高速緩存通信就是垂直方向上的。新的ODI封裝技術減少了與通訊總線接觸的面積，這部分節約出來的面積就可以直接連通底層的供電，減少了中間層可能發生的漏電情況，大幅提升了供電性能。

ODI示意圖，圖源WikiChip

MDIO

MDIO是本次公佈的最為概念性的技術，它是一種新的片上互聯總線，相比目前使用的AIB（Advanced Interface Bus）物理層，新的總線將提供兩倍的帶寬和更高的電源效率。

總結

這次公佈的三種新型技術都是對未來的芯片封裝有著重要作用的技術，它們雖然不會地給我們的PC帶來直觀性的變化，但是他們給英特爾乃至整個半導體業界更高的靈活性去設計一枚處理器或者是SoC，並且採用3D堆疊技術會在性能上有所提升。在後摩爾定律時代，這種新的技術突破是未來半導體發展的堅實基礎。