三星2021年將推芯片新技術性能提高35%能耗降50%
三星將於2021年向市場推出一項突破性的處理器技術,對最基本的電子元件進行根本性改造,使芯片性能提高35%,同時使能耗降低50%。據悉,當地時間週二三星在於加州聖克拉拉舉行的三星鑄造論壇(Samsung Foundry Forum)上宣布,這項名為“環繞柵極”(gate all around,GAA)的技術能夠對芯片核心晶體管進行重新設計和改造,使其更小更快。
圖示:三星的環繞柵極技術(GAA)能夠對芯片晶體管進行重新設計
到2021年,應用這種技術的芯片問世後將成為三星與英特爾和台積電等競爭對手的交手中邁出的重要一步。三星希望藉此加快芯片行業的發展步伐。近年來,芯片行業一直難以克服極端小型化帶來的工程挑戰。
國際商業戰略諮詢公司(International Business Strategies)首席執行官漢德爾·瓊斯(Handel Jones)表示,三星強大的材料研究項目正在取得成效。
他表示:“三星在GAA方面領先台積電大約一年時間。”“而英特爾可能落後三星兩到三年。”
三星的進步將延長摩爾定律所描述的行業進步,確保我們的手機、手錶、汽車和家庭互聯設備能變得更智能。在GAA技術的幫助下,至少在未來幾年,用戶可以期待出現更好的圖形處理技術、更智能的人工智能和其他計算方面的改進。
“GAA將標誌著我們代工業務進入一個新時代,”三星代工業務營銷副總裁瑞安李(Ryan Lee)在本次活動上表示。