本季度三星打算停止生產B-die內存顆粒，這是一種在超頻能力上非常突出的內存零配件，DRAM模塊製造商通常使用三星的B-die 8 Gb內存芯片來組裝超頻能力最強的內存。根據三星最新的產品指南，該公司將在2019年第二季度停產其B-die 8 Gb內存芯片，但具體時日尚不清楚。

這對於Corsair或G.Skill來說可不是一個好消息，這意味著他們為超頻用戶設計的DDR4-4000和更快的套件只能用自己的庫存來製造了。

三星將繼續使用其10納米級工藝技術生產C-die和D-die 8 Gb內存芯片。通常官方會建議用其製造DDR4-3200和DDR4-3600，同樣適用於高端內存模塊，但並非所有DIMM製造商都將它們用於頂級產品，尤其是與B-die相比。

同時，三星還列出了採用10納米級工藝技術製造的16 Gb A-die存儲器件，這些器件用於構建服務器和工作站所需的高容量32 GB UDIMM和其他存儲器模塊。

頂級超頻條雖然不會在一夜之間消失，但看起來他們的日子已經屈指可數了。